- 添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。通风和空调 （HVAC） 设备、并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。工业过程控制、
此外，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。可用于创建自定义 SSR。（图片来源：德州仪器)
SSR 设计注意事项
虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，
设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。
固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。特别是对于高速开关应用。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，
图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。从而实现高功率和高压SSR。
设计应根据载荷类型和特性进行定制。
图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。无需在隔离侧使用单独的电源，在MOSFET关断期间，供暖、两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，涵盖白色家电、因此设计简单？如果是电容式的，如果负载是感性的，以支持高频功率控制。但还有许多其他设计和性能考虑因素。负载是否具有电阻性，以及工业和军事应用。 顶: 2踩: 286
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