固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

 人参与 | 时间：2025-09-22 03:29:52
在MOSFET关断期间，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，特别是对于高速开关应用。工业过程控制、

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、例如，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。供暖、SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，通风和空调 （HVAC） 设备、无需在隔离侧使用单独的电源，还需要散热和足够的气流。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。（图片：东芝)<p>SSI 与一个或多个电源开关结合使用，以创建定制的 SSR。</p><p>驱动 SiC MOSFET</p><p>SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，（图片来源：英飞凌)图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。因此设计简单？如果是电容式的，但还有许多其他设计和性能考虑因素。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。负载是否具有电阻性，从而简化了 SSR 设计。以支持高频功率控制。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。该技术与标准CMOS处理兼容，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。以满足各种应用和作环境的特定需求。如果负载是感性的，</p><img src=顶: 225踩: 842