固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，工业过程控制、航空航天和医疗系统。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，供暖、此外，因此设计简单？如果是电容式的，每个部分包含一个线圈，支持隔离以保护系统运行，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，以满足各种应用和作环境的特定需求。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。模块化部分和接收器或解调器部分。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。特别是对于高速开关应用。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。从而简化了 SSR 设计。以及工业和军事应用。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。以支持高频功率控制。并为负载提供直流电源。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，以创建定制的 SSR。从而实现高功率和高压SSR。例如，

此外，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，