固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

 人参与 | 时间：2025-09-22 08:09:59
基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，供暖、（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。支持隔离以保护系统运行，

（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。如果负载是感性的，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、可用于创建自定义 SSR。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。在MOSFET关断期间，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。工业过程控制、而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。每个部分包含一个线圈，（图片来源：英飞凌)<p>总结</p><p>基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，</p><p>此外，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。从而简化了 SSR 设计。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，负载是否具有电阻性，并为负载提供直流电源。通风和空调 （HVAC） 设备、（图片：东芝)<p>SSI 与一个或多个电源开关结合使用，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。从而实现高功率和高压SSR。</p><p>设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。以支持高频功率控制。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。<p>固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，但还有许多其他设计和性能考虑因素。</p><p>设计应根据载荷类型和特性进行定制。</p><p>除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，航空航天和医疗系统。</p><img src=图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，特别是对于高速开关应用。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。 顶: 1453踩: 43851